Dave

自己買粒最普通的MOSFET 再將信號線焊接電片即可。

基本結構如圖 ( 網上圖片 )：



[ 本帖最後由 Dave 於 12-9-2017 21:20 編輯 ]

Dave

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原帖由 新手一隻 於 12-9-2017 22:21 發表
未玩過次世代，但次世代夠唔夠位係波箱外面裝mosfet？

記得明搶有一格係放gate之類的mosfet，但唔知道有無spectre，可以去望下。

又或者去啲英文二手group度收下，可能會有人放。

SCAR 前節頗為空洞大把位。
M4 的話如果行里電不用原裝電可借一邊尾托位置放。

Dave

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原帖由 ner 於 12-9-2017 22:29 發表
多謝DAVE師兄圖
其實早前見到RWTV賣GATE TITAN廣告, 直到今朝先開始上網搜尋接觸MOSFET依樣野, 基本上無乜依方面常識
今朝睇完以為傳統AEG用既MOSFET砌唔到落次世代
最普通的MOSFET即係類似依種?
http://ww ...

YES，都是同一樣野。

但不如問問自己裝MOSFET 來做咩？一般來說AEG 用MOSFET 係用比較高電壓時保護電片組，本身MOSFET 唔會令支槍性能提升。

如果打原裝次世袋電不太需要加裝。

Dave

引用:

原帖由 ner 於 12-9-2017 22:40 發表
因為打單發多,主要係想加快單發反應速度

改單發不外乎 1- 高電壓 , 2 - 彈弓弱 , 3 - 高扭摩...
看你需要的設定，如果你話要改1.4j 或以上，基本上用原裝電或者7.4 鋰電都一定係拖泥帶水，建議轉11.1v (需diy T 插)，應可改善單發。
因為次世代除了拉彈弓，亦要拉BLOWBACK 彈弓，雙重LOADING 之下，同樣打M120 彈弓，次世代都會比AEG 都拉得慢一些。

Dave

引用:

原帖由 ner 於 12-9-2017 23:17 發表

睇描述的確係precock同埋一D唔太清楚既野

睇完DAVE師兄講總之轉11.1v試下先
https://www.youtube.com/watch?v=qDuVmy22kcg
BTW睇完真係好心郁↑

拍片既野...總是美好...
留意番佢隻手指...「啞彈」果幾下根本係佢自己隻手指冇鬆哂，即係電片冇彈起，再壓下去當然唔識郁，並唔係波箱跟唔切。
之後又玩俗語所謂「吊雞」，即係hi 少少制又唔壓到底，惦惦下...傳統aeg 用呢個手勢根本未能讓電片接觸，當然不響。
而且將按未按呢d 手勢亦是讓電弧火花大量產生的原因( 你試下微動屋企燈制就知咩事，燈制入面會見到會爆閃的 )
一句到尾佢第一個設定是手勢衰，無他...為了顯得「設定2」特別優異，第一段係要做衰d

順帶一題...用11.1v 要配合其他設定，主要係講緊彈弓強度，例如你玩緊原裝0.7j，塞粒11.1v 電，高速摩，掃硬。
多口一提，如果本身識set aeg 可以無視我這番話。

[ 本帖最後由 Dave 於 12-9-2017 23:36 編輯 ]